導電類型：N型

電阻率：＞200ΩNaN

少子壽命：＞300μs

體金屬雜質含量：＜10ppbw

表金屬雜質含量：<20ppbw

純度：＞99.999999999%

滿足P型單晶、N型單晶硅片使用要求，少數滿足半導體使用要求。

是半導體工業、電子信息產業、太陽能光伏產業的最重要的、最基礎的功能性材料。

永祥生產工藝為改良西門子法，采用了多項自主專利技術（如：一種多晶硅還原爐，發明專利號：ZL201911100707.9；一種多晶硅生產中聚氯硅烷處理裝置，發明專利號201911101620.3 等），具有單線生產能力大幅提升、能耗物耗大幅降低、質量行業領先等優勢。